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Efectos estructurales en el semiconductor insb, por la aplicación de diferentes métodos de presión

RINCON JOYA, MIRYAM and BARBA, JOSE J. and PIZANI, PAULO S. (2012) Efectos estructurales en el semiconductor insb, por la aplicación de diferentes métodos de presión. Dyna; Vol. 79, núm. 175 (2012); 137-141 DYNA; Vol. 79, núm. 175 (2012); 137-141 2346-2183 0012-7353 .

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Resumen

En este trabajo se estudia las modificaciones sufridas por el antimoneto de indio (InSb), crecido en la dirección [100], cuando es sometido a testes de micro-indentación mecánica, altas presiones hidrostáticas y presión por impacto. Los estudios topográficos y tomográficos de las muestras fueron hechos por medio de espectroscopia micro-Raman con diferentes longitudes de onda de la luz de excitación. El corrimiento de la posición de los fonones y el surgimiento de nuevos picos Raman permite el análisis tanto químico como estructural del sistema en estudio.

Tipo de documento:Artículo - Article
Información adicional:Derechos de autor reservados
Palabras clave:Raman, presión, indentación, Insb, transformación estructural de fase.
Unidad administrativa:Revistas electrónicas UN
Código ID:28149
Enviado por : Dirección Nacional de Bibliotecas STECNICO
Enviado el día :28 Junio 2014 03:19
Ultima modificación:28 Junio 2014 03:19
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