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Producción y caracterización optoeléctrica de películas delgadas basadas en elementos II-VI (Zn, Se, ó, S, Te), para encontrar un sensor de respuesta espectral amplia (NUV–VIS) depositados sobre vidrio o Silicio Poroso.

Velasquez Andrade, Camilo Andres (2017) Producción y caracterización optoeléctrica de películas delgadas basadas en elementos II-VI (Zn, Se, ó, S, Te), para encontrar un sensor de respuesta espectral amplia (NUV–VIS) depositados sobre vidrio o Silicio Poroso. Maestría thesis, Universidad Nacional de Colombia - Sede Bogotá.

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Resumen

En este trabajo de grado se fabricaron películas delgadas del compuesto binario ZnS y ternario ZnS1-xTex, a diferentes temperaturas de sustrato. Se realizó un estudio de la influencia de los parámetros de depósito y temperatura sobre las propiedades morfológicas, ópticas y optoeléctricas. La observación de la influencia de los parámetros se dio a partir de la caracterización de los materiales mediante las técnicas experimentales de transmitancia espectral, difracción de rayos-x (XRD), fotocorriente y fotoluminiscencia. Utilizando un proceso de simulación de los espectros de transmitancia se determinó la variación espectral del índice de refracción del coeficiente de extinción y adicionalmente se determinó la banda de energía prohibida de los materiales. Se encontró que los materiales crecen con estructura cúbica, tienen bandas de energía prohibida o banda de energía prohibida del semiconductor de 3.66 eV para el material binario ZnS. En el material ternario se encontró que, dependiendo de la composición de la muestra, la banda de energía prohibida se puede variar controladamente durante el proceso de evaporación entre 2.20 eV hasta 3.20 eV. Se encontraron respuestas espectrales amplias en el visible en los espectros de fotoconductividad comprendidos entre 400 y 800 nm para los materiales ternarios. El ancho y posición de la señal fotoconductora se puede controlar en este intervalo espectral durante el proceso de preparación de los materiales. Los espectros de fotoluminiscencia abarcan la región comprendida entre 400 y 800 nm a temperatura ambiente., Abstract: The work for the master degree was to prepare thin films of the binary compound ZnS and ternary ZnS 1 - x Te x with different substrate temperature. The influence of the deposit parameters and temperature on the morphological, optic and optoelec tronic properties were studied. O bservation of the influ ence of the parameter has been made by the characterization of the material using experimental techniques like spectral t ransmittance, X - Ray diffraction, photocurrent and photoluminescence. The spectral variation of the refractive index was determined using a simulation of the transmittance spectra, also with this simulation the forbidden energy of the materials was found. The analysis showed materials with cubic structure, the band gap of the semiconductor is 3.66 eV for the binary material ZnS. In the case of the ternary material the band gap found changes with the composition of the sample and during the evaporation process co uld change between from 2.20 to 3.20 eV. T he spectral responses in the visible range were wide, the photoconductivity spectra are from 400 to 800 nm for the ternary material. The photoconductor signal could be controlled in that range during the preparatio n process of the materials. The photoluminescence spectra cover the region from 400 to 800 nm at room temperature

Tipo de documento:Tesis/trabajos de grado - Thesis (Maestría)
Colaborador / Asesor:Torres Salcedo, Nestor Jaime
Información adicional:Magíster en Ciencias – Física. Línea de Investigación: Nuevos Materiales para Aplicaciones Tecnológicas.
Palabras clave:Semiconductores II-VI, ZnS, ZnS1-xTex, Propiedades ópticas y opto eléctricas, Semiconductors II - VI, Optical and opto - electric properties
Temática:5 Ciencias naturales y matemáticas / Science > 53 Física / Physics
6 Tecnología (ciencias aplicadas) / Technology > 62 Ingeniería y operaciones afines / Engineering
Unidad administrativa:Sede Bogotá > Facultad de Ciencias > Departamento de Física > Física
Código ID:63324
Enviado por : Camilo Andres Velasquez Andrade
Enviado el día :26 Apr 2018 21:00
Ultima modificación:26 Apr 2018 21:00
Ultima modificación:26 Apr 2018 21:00
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